产品详情
简单介绍：
测试电压范围：电压≤2V，10V，40V±5% 品牌：德国哈迈HAMEG
详情介绍：
| 详细介绍 | |
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操作简易 半导体元件特性测试 准确的游标对照 快速容易地供元件比对 参考资料记忆 5轨迹屏幕显示 低耗电量 |
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| 功能描述 | |
| 测试范围 | |
| 三个电压档 | Collector/Drain 电压≤2V，10V，40V±5 |
| 三个电流档 | Collector/Drain 电流≤2mA，20mA，200mA±5 |
| 三个功率档 | 功率≤0.04W, 0.4W, 4W±10% |
| Base/Gate电压及电流 | Ib 1μA～10μAVb 至2V±5%Vg 至10V±5% |
| **度（静止精度） | |
| Vc/d | ±(2% o.v.+3 位) |
| Ic/d | ±(2% o.v.+3 位) |
| Ib | ±(2% o.v.+3 位) |
| Vb | ±(2% o.v.+3 位) |
| Vg | ±(3% o.v.+3 位 |
| β至1000 | ±(5% o.v.+3 位) |
| β至100000 | ±[(6+0.001×β)% o.v.+3位] |
| **度（动态精度） | |
| h11 | ≤1000Ω±(12%o.v.+3位)≥1000Ω±[(12+0.001meas.value)%o.v.+3位) |
| h21 | ≤1000±(12%o.v.+3位)≥1000±[(12+0.001meas.value)% o.v.+3位) |
| y21 | ≤1000mS±(12% o.v.+3位) |
| h/y22 | ≤1000mS±(12% o.v.+3位) |
| 杂项功能 | |
| 单一模式 | 计算测试点的值 |
| 跟踪模式 | 两个游标定位后h/y数据测试计算 |
| 可以适用的元件 | Diodes,Zener DiodesNPN/PNP-TransistorsFET/ |
| 显示器 | 2×16-Digit, LCD配合CRT，5曲线测试结果 |
| 标准附件 | |
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| 持有证书 | |
| CE |
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| 其它 | |
| 屏幕 CRT6寸，8×10格 加速电压2KV 扫迹调校，在面板设置 电源 100-240VCA±10%50/60Hz 功耗 36WATT 工作温差 0OC~40OC |
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